氮化物半导体发光元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010841218.5
申请日
2020-08-20
公开(公告)号
CN112420889A
公开(公告)日
2021-02-26
发明(设计)人
松仓勇介 稻津哲彦 希利尔·贝诺
申请人
申请人地址
日本东京都
IPC主分类号
H01L3314
IPC分类号
H01L3332
代理机构
北京市隆安律师事务所 11323
代理人
徐谦;刘宁军
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN112420889B ,2024-06-18
[2]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
川口靖利 ;
吉田真治 ;
冈口贵大 ;
中泽崇一 ;
林茂生 ;
畑雅幸 .
日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05
[3]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
中国专利 :CN112349820A ,2021-02-09
[4]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN112349820B ,2024-02-06
[5]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN117637952A ,2024-03-01
[6]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
稻津哲彦 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN117637951A ,2024-03-01
[7]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
小幡俊之 .
中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28
[8]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
吴永胜 ;
汪雪琴 ;
刘德意 .
中国专利 :CN110137322A ,2019-08-16
[9]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
希利尔·贝诺 .
日本专利 :CN115588719B ,2025-11-07
[10]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
朝田耕司 ;
冈部德太郎 .
中国专利 :CN108028300A ,2018-05-11