氮化物半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610147749.4

申请日：

2006-12-22

公开(公告)号：

CN101207167B

公开(公告)日：

2008-06-25

发明(设计)人：

黄宝亿朱广敏付小朝季辉丁晓民

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路351号1号楼521室

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-05-19	授权	授权
2008-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P].

佐藤恒辅 .

中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN102097551B ,2011-06-15

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

川口靖利 ;

吉田真治 ;

冈口贵大 ;

中泽崇一 ;

林茂生 ;

畑雅幸 .

日本专利 :CN117837035A ,2024-04-05

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102024885A ,2011-04-20

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101771124A ,2010-07-07

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 ;

风田川统之 .

中国专利 :CN103959580A ,2014-07-30

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