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氮化物半导体发光元件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111196489.0
申请日：
2021-10-14
公开(公告)号：
CN114388665B
公开(公告)日：
2025-06-27
发明(设计)人：
松仓勇介 希利尔·贝诺
申请人：
日机装株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H10H20/81
IPC分类号：
H10H20/812 H10H20/825
代理机构：
北京市隆安律师事务所 11323
代理人：
徐谦;刘宁军
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-27 授权 授权
共 50 条
[1]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
希利尔·贝诺 .
中国专利 :CN114388665A ,2022-04-22
[2]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
中原健 ;
伊藤范和 ;
堤一阳 .
中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03
[3]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
吴永胜 ;
汪雪琴 ;
刘德意 .
中国专利 :CN110137322A ,2019-08-16
[4]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
中原健 ;
伊藤范和 ;
堤一阳 .
中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03
[5]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
平野光 ;
长泽阳祐 .
中国专利 :CN111373552A ,2020-07-03
[6]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
吴永胜 ;
张帆 ;
林新 .
中国专利 :CN110120447A ,2019-08-13
[7]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
中原健 ;
伊藤范和 ;
堤一阳 .
中国专利 :CN101449395A ,2009-06-03
[8]
氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置 [P]. 
佐藤恒辅 .
中国专利 :CN110391320B ,2019-10-29
[9]
Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P]. 
菊池友 ;
宇田川隆 .
中国专利 :CN101809763A ,2010-08-18
[10]
Ⅲ族氮化物半导体发光元件 [P]. 
瀧哲也 .
中国专利 :CN100490199C ,2007-10-10
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