氮化物半导体发光元件、氮化物半导体发光装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910198413.8

申请日：

2019-03-15

公开(公告)号：

CN110391320B

公开(公告)日：

2019-10-29

发明(设计)人：

佐藤恒辅

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

H01L3338 H01L3364

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277

代理人：

刘新宇;李茂家

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-29	公开	公开
2022-05-27	授权	授权
2019-11-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/32 申请日:20190315

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件 [P].

赖志成 .

中国专利 :CN102024885A ,2011-04-20

[2]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

花本哲也 ;

渡边昌规 ;

栗栖彰宏 ;

井口胜次 ;

柏原博之 ;

井上知也 ;

浅井俊晶 ;

渡边浩崇 .

中国专利 :CN107924966A ,2018-04-17

[3]

氮化物半导体发光元件 [P].

笔田麻佑子 .

中国专利 :CN101771124A ,2010-07-07

[4]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

盐谷阳平 ;

上野昌纪 ;

梁岛克典 ;

田才邦彦 ;

中岛博 ;

风田川统之 .

中国专利 :CN103959580A ,2014-07-30

[5]

氮化物半导体发光元件 [P].

京野孝史 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101009352A ,2007-08-01

[6]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN112420889B ,2024-06-18

[7]

氮化物半导体发光元件 [P].

黄宝亿 ;

朱广敏 ;

付小朝 ;

季辉 ;

丁晓民 .

中国专利 :CN101207167B ,2008-06-25

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

谷善彦 ;

竹冈忠士 ;

栗栖彰宏 ;

花本哲也 ;

马修.先尼 .

中国专利 :CN104272477B ,2015-01-07

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

小幡俊之 .

中国专利 :CN105009310A ,2015-10-28

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN114388665B ,2025-06-27

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