氮化物半导体发光元件和氮化物半导体的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880020316.X

申请日：

2008-06-13

公开(公告)号：

CN101689586A

公开(公告)日：

2010-03-31

发明(设计)人：

中西康夫中田俊次藤原彻也千田和彦园部雅之

申请人：

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

岳雪兰

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:20080613 授权公告日:20120926 终止日期:20170613
2010-03-31	公开	公开
2010-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101004551064 IPC(主分类):H01L 33/00 专利申请号:200880020316X 申请日:20080613
2012-09-26	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体发光元件以及氮化物半导体发光元件制造方法 [P].

中原健 ;

山口敦司 .

中国专利 :CN101305478A ,2008-11-12

[2]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

希利尔·贝诺 ;

松仓勇介 ;

古泽优太 ;

和田贡 .

中国专利 :CN111052411A ,2020-04-21

[3]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111066161A ,2020-04-24

[4]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

持田笃范 ;

长谷川义晃 .

中国专利 :CN101540475A ,2009-09-23

[5]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN113838956A ,2021-12-24

[6]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

古泽优太 ;

和田贡 ;

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 .

中国专利 :CN111095579A ,2020-05-01

[7]

氮化物半导体发光元件和氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

松仓勇介 ;

稻津哲彦 ;

希利尔·贝诺 .

日本专利 :CN113838956B ,2024-12-17

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449393A ,2009-06-03

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

中原健 ;

伊藤范和 ;

堤一阳 .

中国专利 :CN101449394A ,2009-06-03

[10]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

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