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氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410835048.8
申请日：
2024-06-26
公开(公告)号：
CN119208471A
公开(公告)日：
2024-12-27
发明(设计)人：
冈田卓也
申请人：
日亚化学工业株式会社
申请人地址：
日本德岛县
IPC主分类号：
H01L33/06
IPC分类号：
H01L33/32
H01L33/00
代理机构：
北京市柳沈律师事务所 11105
代理人：
沈雪
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-12-27 | 公开 | 公开 |