一种用于硅基片表面处理的喷丸材料和硅基片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210290715.6

申请日：

2012-08-15

公开(公告)号：

CN102952521A

公开(公告)日：

2013-03-06

发明(设计)人：

万丹丹王菲史玛利亚

申请人：

申请人地址：

200245 上海市闵行区文井路55号

IPC主分类号：

C09K314

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-06	公开	公开
2015-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101713560445 IPC(主分类):C09K 3/14 专利申请号:2012102907156 申请公布日:20130306

共 50 条

[1]

硅基片的制备方法和硅基片 [P].

曲凯 ;

鲁艳春 ;

梁洪春 .

中国专利 :CN119833395A ,2025-04-15

[2]

用于处理含硅基片的混合物 [P].

A·库特尼尔 .

中国专利 :CN1158596A ,1997-09-03

[3]

一种博世工艺刻蚀硅基片的方法 [P].

王洪青 ;

黄智林 .

中国专利 :CN106935494A ,2017-07-07

[4]

一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法 [P].

赵文杰 ;

胡军 ;

周真 ;

施云波 ;

罗毅 .

中国专利 :CN103663361A ,2014-03-26

[5]

硅基片中形成扩散区的方法 [P].

D·D·科尔鲍 ;

D·L·哈拉梅 .

中国专利 :CN1153263C ,2001-03-28

[6]

一种硅基片自动清洗处理机 [P].

陈朝 .

中国专利 :CN208230398U ,2018-12-14

[7]

硅基片厚金属刻蚀的前处理工艺 [P].

李俊 ;

陈杰 ;

黄蕴 ;

寇春梅 .

中国专利 :CN103681242B ,2014-03-26

[8]

一种硅基片上料机 [P].

陆宏艺 .

中国专利 :CN222453471U ,2025-02-11

[9]

硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法 [P].

巴龙 ;

雷威 ;

王保平 .

中国专利 :CN1323051A ,2001-11-21

[10]

一种在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115332451B ,2024-12-10

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