硅基片的制备方法和硅基片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411985161.0

申请日：

2024-12-31

公开(公告)号：

CN119833395A

公开(公告)日：

2025-04-15

发明(设计)人：

曲凯鲁艳春梁洪春

申请人：

北海惠科半导体科技有限公司

申请人地址：

536000 广西壮族自治区北海市工业园区北海大道东延线336号广西惠科科技有限公司16幢三楼301室

IPC主分类号：

H01L21/18

IPC分类号：

H01L21/02 H10D62/83 H10D62/834

代理机构：

深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240

代理人：

邢涛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

黑龙江省哈尔滨市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/18申请日:20241231
2025-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

掺杂硅基片 [P].

G·贝克 ;

D·韦克尔 ;

K·马耶尔 .

中国专利 :CN1180239A ,1998-04-29

[2]

一种用于硅基片表面处理的喷丸材料和硅基片的制备方法 [P].

万丹丹 ;

王菲 ;

史玛利亚 .

中国专利 :CN102952521A ,2013-03-06

[3]

硅基片的自动供给机 [P].

夏志毅 .

中国专利 :CN307083418S ,2022-01-25

[4]

硅基片中形成扩散区的方法 [P].

D·D·科尔鲍 ;

D·L·哈拉梅 .

中国专利 :CN1153263C ,2001-03-28

[5]

具有硅基片的燃料电池 [P].

L·J·奥尔森 ;

A·M·库克 ;

J·C·玛利亚里 ;

C·M·陈 ;

G·L·赖斯 ;

C·E·内尔松 .

中国专利 :CN1205685C ,2003-06-11

[6]

硅基片上有序纳米碳管阵列的制备方法 [P].

巴龙 ;

雷威 ;

王保平 .

中国专利 :CN1323051A ,2001-11-21

[7]

一种硅基片或陶瓷基片的柔性机械光刻剥离工艺方法 [P].

赵文杰 ;

胡军 ;

周真 ;

施云波 ;

罗毅 .

中国专利 :CN103663361A ,2014-03-26

[8]

硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法 [P].

蒋毅坚 ;

常雷 ;

龚小南 .

中国专利 :CN1752268A ,2006-03-29

[9]

一种博世工艺刻蚀硅基片的方法 [P].

王洪青 ;

黄智林 .

中国专利 :CN106935494A ,2017-07-07

[10]

用于处理含硅基片的混合物 [P].

A·库特尼尔 .

中国专利 :CN1158596A ,1997-09-03

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