硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510115765.0

申请日：

2005-11-11

公开(公告)号：

CN1752268A

公开(公告)日：

2006-03-29

发明(设计)人：

蒋毅坚常雷龚小南

申请人：

申请人地址：

100022北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

C23C1400

IPC分类号：

C23C1428 C23C1402 C23C1408 C23C1454

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

张慧

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	授权	授权
2006-03-29	公开	公开
2017-01-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101696011735 IPC(主分类):C23C 14/00 专利号:ZL2005101157650 申请日:20051111 授权公告日:20080130 终止日期:20151111
2006-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

镧钙锰氧薄膜的制备方法 [P].

蒋毅坚 ;

常雷 .

中国专利 :CN100374615C ,2006-07-19

[2]

激光辐照提高镧钡锰氧薄膜性能的方法 [P].

蒋毅坚 ;

常雷 .

中国专利 :CN100383274C ,2006-11-29

[3]

一种镧锶锰氧薄膜的制备方法 [P].

陈莹 ;

王根水 ;

张帅 ;

董显林 .

中国专利 :CN101985749A ,2011-03-16

[4]

镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法 [P].

王根水 ;

褚君浩 ;

孟祥建 ;

孙璟兰 ;

郭少令 .

中国专利 :CN1210438C ,2001-12-19

[5]

镧锶钴氧导电薄膜材料的制备方法 [P].

张志敏 .

中国专利 :CN106191821A ,2016-12-07

[6]

硅基片的制备方法和硅基片 [P].

曲凯 ;

鲁艳春 ;

梁洪春 .

中国专利 :CN119833395A ,2025-04-15

[7]

通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法 [P].

李言荣 ;

李金隆 ;

张鹰 ;

朱俊 ;

罗文博 .

中国专利 :CN1697143A ,2005-11-16

[8]

一种镧锶锰氧-钛酸锶铅复合薄膜及其制备方法 [P].

陈莹 ;

董显林 ;

王根水 ;

张帅 .

中国专利 :CN102179967B ,2011-09-14

[9]

锰酸镧的制备方法及应用 [P].

俞小花 ;

王露 ;

崔鹏媛 ;

张文之 ;

吴占新 ;

陈璐 ;

沈庆峰 ;

刘春侠 ;

谢刚 ;

林艳 ;

李荣兴 .

中国专利 :CN113003611A ,2021-06-22

[10]

锰酸镧的制备方法及应用 [P].

俞小花 ;

秦炜 ;

侯柏秋 ;

冯天意 ;

陈飞越 ;

陈璐 ;

刘春侠 ;

沈庆峰 ;

林艳 ;

谢刚 ;

李荣兴 .

中国专利 :CN112897587A ,2021-06-04

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