通过温度调制在硅基片上制备铁电薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510020584.X

申请日：

2005-03-25

公开(公告)号：

CN1697143A

公开(公告)日：

2005-11-16

发明(设计)人：

李言荣李金隆张鹰朱俊罗文博

申请人：

申请人地址：

610054四川省成都市建设北路一段4号

IPC主分类号：

H01L21316

IPC分类号：

代理机构：

成都虹桥专利事务所

代理人：

刘勋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	授权	授权
2012-06-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101262909872 IPC(主分类):H01L 21/316 专利号:ZL200510020584X 申请日:20050325 授权公告日:20090408 终止日期:20110325
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

在Si基板上制备(110)取向铁电薄膜的方法 [P].

郭益平 ;

顾明元 .

中国专利 :CN100456420C ,2007-10-24

[2]

一种在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115332451B ,2024-12-10

[3]

一种在硅基片上制备钙钛矿薄膜的方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115332451A ,2022-11-11

[4]

铁电薄膜的制备方法及铁电薄膜 [P].

周益春 ;

徐意 ;

廖敏 ;

廖佳佳 ;

曾斌建 .

中国专利 :CN114990529A ,2022-09-02

[5]

压电铁电薄膜的制备方法 [P].

郑慈航 ;

唐刚 ;

刘景全 ;

李倩倩 ;

尹桂林 ;

余震 ;

何丹农 .

中国专利 :CN101885606B ,2010-11-17

[6]

一种在Si单晶基片上制备BaTi2O5铁电薄膜的方法 [P].

张联盟 ;

王传彬 ;

沈强 ;

王芳 ;

李凌 .

中国专利 :CN101818327A ,2010-09-01

[7]

一种在金属镍基片上生长氧化物铁电薄膜的方法 [P].

林媛 ;

梁伟正 ;

曾慧中 ;

黄文 ;

吉彦达 ;

刘升华 ;

黄江 .

中国专利 :CN102174697A ,2011-09-07

[8]

硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法 [P].

蒋毅坚 ;

常雷 ;

龚小南 .

中国专利 :CN1752268A ,2006-03-29

[9]

硅基片的制备方法和硅基片 [P].

曲凯 ;

鲁艳春 ;

梁洪春 .

中国专利 :CN119833395A ,2025-04-15

[10]

一种PEALD低温制备铁电薄膜的方法及铁电薄膜 [P].

廖敏 ;

游朋先 ;

郑帅至 ;

彭强祥 ;

尹路 ;

周益春 .

中国专利 :CN109055916A ,2018-12-21

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