光接收元件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280010022.5

申请日：

2012-02-03

公开(公告)号：

CN103403884A

公开(公告)日：

2013-11-20

发明(设计)人：

秋田胜史石塚贵司藤井慧永井阳一稻田博史猪口康博

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L3110

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

李兰;孙志湧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-12-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101551936946 IPC(主分类):H01L 31/10 专利申请号:2012800100225 申请日:20120203
2016-08-24	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738055122 IPC(主分类):H01L 31/10 专利申请号:2012800100225 申请公布日:20131120
2013-11-20	公开	公开

共 50 条

[1]

光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置 [P].

万田周治 .

日本专利 :CN113366656B ,2025-03-25

[2]

光接收元件、光接收元件的制造方法以及摄像装置 [P].

万田周治 .

中国专利 :CN113366656A ,2021-09-07

[3]

面发光激光器及其制造方法和光接收元件及其制造方法 [P].

金子丈夫 .

中国专利 :CN1245790C ,2003-01-01

[4]

半导体光接收元件 [P].

米田昌博 ;

海老原幸司 ;

沖本拓也 .

中国专利 :CN113345977A ,2021-09-03

[5]

半导体光接收元件 [P].

米田昌博 ;

海老原幸司 ;

沖本拓也 .

日本专利 :CN113345977B ,2025-04-11

[6]

光接收元件、半导体外延晶片、检测装置和制造光接收元件的方法 [P].

三浦广平 ;

稻田博史 ;

猪口康博 ;

齐藤格 .

中国专利 :CN103843158B ,2014-06-04

[7]

光接收器元件及其制造方法 [P].

秋田胜史 ;

石塚贵司 ;

藤井慧 ;

中幡英章 ;

永井阳一 ;

稻田博史 ;

猪口康博 .

中国专利 :CN102959736A ,2013-03-06

[8]

半导体光接收元件及半导体光接收元件的制造方法 [P].

R.瓦希诺 ;

H.哈马达 ;

T.塔尼古奇 .

日本专利 :CN111916507B ,2024-05-17

[9]

半导体光接收元件及半导体光接收元件的制造方法 [P].

R.瓦希诺 ;

H.哈马达 ;

T.塔尼古奇 .

中国专利 :CN111916507A ,2020-11-10

[10]

发光元件-光接收元件组件及其制造方法 [P].

大鸟居英 .

中国专利 :CN102738090A ,2012-10-17

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