一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610231357.X

申请日：

2016-04-13

公开(公告)号：

CN105734498A

公开(公告)日：

2016-07-06

发明(设计)人：

张权岳

申请人：

申请人地址：

322207 浙江省金华市浦江县中余乡蒲阳村54号

IPC主分类号：

C23C1428

IPC分类号：

C23C1408 C23C1418 C23C1458

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

郑海峰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-07-06	公开	公开
2018-06-15	授权	授权
2016-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101672620819 IPC(主分类):C23C 14/28 专利申请号:201610231357X 申请日:20160413
2022-11-25	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 14/28 登记生效日:20221115 变更事项:专利权人变更前权利人:张权岳变更后权利人:东港智科产业园有限公司变更事项:地址变更前权利人:322207 浙江省金华市浦江县中余乡蒲阳村54号变更后权利人:257237 山东省东营市东营港经济开发区港城路99号

共 50 条

[1]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[2]

一种制备Cu掺杂稀磁半导体薄膜的方法 [P].

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108642462A ,2018-10-12

[3]

一种Mn掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

刘风光 ;

吴鹏 ;

洪宾 ;

赵巍胜 .

中国专利 :CN113308669A ,2021-08-27

[4]

一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108754420A ,2018-11-06

[5]

一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

吴荣 ;

任银拴 ;

简基康 ;

潘东 ;

娄阳 ;

蒋小康 ;

李锦 ;

孙言飞 ;

任会会 .

中国专利 :CN102352485A ,2012-02-15

[6]

一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 [P].

高兴国 .

中国专利 :CN105088184A ,2015-11-25

[7]

氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法 [P].

王金斌 ;

何春 ;

钟向丽 ;

周益春 ;

郑学军 .

中国专利 :CN101262040B ,2008-09-10

[8]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[9]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[10]

一种Mg掺杂AlN基稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

熊娟 ;

顾豪爽 ;

杨洋 ;

郭飞 .

中国专利 :CN103334083A ,2013-10-02

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