一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410191308.9

申请日：

2014-05-08

公开(公告)号：

CN105088184A

公开(公告)日：

2015-11-25

发明(设计)人：

高兴国

申请人：

申请人地址：

250353 山东省济南市长清区西部新城大学科技园齐鲁工业大学

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

C23C1648 C23C1656 H01F4122

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-06-01	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/34 申请公布日:20151125
2016-04-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101656498003 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2014101913089 申请日:20140508
2015-11-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 [P].

高兴国 .

中国专利 :CN105018902A ,2015-11-04

[2]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[3]

一种钴掺杂氧化镓稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

张权岳 .

中国专利 :CN105734498A ,2016-07-06

[4]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[5]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[6]

采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

孙莉莉 ;

闫发旺 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101899706A ,2010-12-01

[7]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[8]

一种Cr掺杂ZnO基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

庞晓露 ;

高克玮 ;

杨会生 ;

王燕斌 .

中国专利 :CN101615467A ,2009-12-30

[9]

一种Ni掺杂AlN基稀磁半导体薄膜材料的制备方法 [P].

吴荣 ;

潘东 ;

简基康 ;

姜楠楠 ;

李锦 ;

孙言飞 .

中国专利 :CN102154621A ,2011-08-17

[10]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

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