一种稀磁半导体材料制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711171267.7

申请日：

2017-11-22

公开(公告)号：

CN107833727A

公开(公告)日：

2018-03-23

发明(设计)人：

杨晓艳

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市锡山区东北塘镇裕巷村周巷32号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01F4102

代理机构：

北京远智汇知识产权代理有限公司 11659

代理人：

徐鹏飞

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-23	公开	公开
2018-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01F 1/40 申请日:20171122
2019-07-26	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01F 1/40 申请公布日:20180323

共 50 条

[1]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[2]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[3]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[4]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[5]

Co掺杂CaO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351229A ,2012-02-15

[6]

Fe掺杂CuO稀磁半导体材料的制备方法 [P].

赵婧 ;

刘喆 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN102351236A ,2012-02-15

[7]

采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

孙莉莉 ;

闫发旺 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101894651A ,2010-11-24

[8]

一种均匀掺杂一维稀磁半导体材料的制备方法 [P].

罗永松 ;

闫海龙 ;

彭涛 ;

陆阳 ;

程晋炳 ;

罗荣杰 ;

候晓艺 .

中国专利 :CN105731544B ,2016-07-06

[9]

一种Fe掺杂ZnO室温稀磁半导体材料的制备方法 [P].

袁松柳 ;

王永强 ;

田召明 ;

何惊华 .

中国专利 :CN101224904A ,2008-07-23

[10]

一种调控稀磁半导体材料室温磁性的方法 [P].

吴琛 ;

丁文洋 ;

严密 .

中国专利 :CN105470116A ,2016-04-06

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