具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810114178.3

申请日：

2008-05-30

公开(公告)号：

CN101404198A

公开(公告)日：

2009-04-08

发明(设计)人：

姜岩峰

申请人：

申请人地址：

100041北京市石景山区晋元庄5号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01L4310 H01L4312 H01L2134

代理机构：

北京凯特来知识产权代理有限公司

代理人：

赵镇勇

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-25	授权	授权
2009-06-03	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-07-22	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101617849077 IPC(主分类):H01F 1/40 专利号:ZL2008101141783 申请日:20080530 授权公告日:20110525 终止日期:20140530
2009-04-08	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

毋志民 ;

李越 ;

丁守兵 ;

罗一瑛 ;

李可心 .

中国专利 :CN112863802A ,2021-05-28

[2]

居里温度可调系列稀磁半导体及其制备方法 [P].

杨怡 ;

焦志伟 .

中国专利 :CN108766706A ,2018-11-06

[3]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[4]

高居里温度材料及制备方法 [P].

孙锐 ;

卢俊丽 ;

孙学中 .

中国专利 :CN105803332A ,2016-07-27

[5]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[6]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[7]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[8]

一种高居里温度硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法 [P].

陈学刚 ;

邱宇浩 ;

李壮 ;

王佳威 ;

于点儿 ;

郭子然 .

中国专利 :CN120006390A ,2025-05-16

[9]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[10]

一种具有高居里温度的二维铁磁材料及其制备方法 [P].

王中长 ;

曾文 ;

孙蓉 ;

张志恒 .

中国专利 :CN119889857A ,2025-04-25

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