一种具有高居里温度的二维铁磁材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411948024.X

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

CN119889857A

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

王中长曾文孙蓉张志恒

申请人：

北京航空航天大学

申请人地址：

100191 北京市海淀区学院路37号

IPC主分类号：

H01F1/40

IPC分类号：

H01F41/02

代理机构：

北京栈桥知识产权代理事务所(普通合伙) 11670

代理人：

余柯薇

法律状态：

公开

国省代码：

北京市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	公开	公开
2025-05-27	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01F 1/40申请日:20241227

共 50 条

[1]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[2]

具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

毋志民 ;

李越 ;

丁守兵 ;

罗一瑛 ;

李可心 .

中国专利 :CN112863802A ,2021-05-28

[3]

高居里温度材料及制备方法 [P].

孙锐 ;

卢俊丽 ;

孙学中 .

中国专利 :CN105803332A ,2016-07-27

[4]

一种高居里温度的二维范德瓦尔斯铁磁量子材料及其制备方法和应用 [P].

王勇 ;

杨定怡 ;

张瑜 ;

成梓萱 ;

许永杰 ;

吴亦章 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120024873A ,2025-05-23

[5]

一种高频、高居里温度磁芯材料及其制备方法 [P].

卢春如 .

中国专利 :CN114195497A ,2022-03-18

[6]

高居里温度压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

张静 ;

潘平华 ;

张元松 ;

王兰花 ;

李庆 ;

戴昭波 ;

陈键 .

中国专利 :CN109665840A ,2019-04-23

[7]

高磁导率高居里温度贫铁锰锌铁氧体材料及其制备方法 [P].

王修炜 ;

黄浪 ;

陈小林 ;

赵光 ;

蒋涛 .

中国专利 :CN120097719A ,2025-06-06

[8]

高居里温度的PZT压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

孙兆海 ;

马涛 .

中国专利 :CN104291817A ,2015-01-21

[9]

一种Co掺杂的二维铁磁材料及其制备方法 [P].

杨蒙蒙 ;

陈行 ;

叶坤 ;

郭俊明 ;

向南名 ;

时文强 ;

奚磊 ;

王守国 .

中国专利 :CN118155975A ,2024-06-07

[10]

高磁导率高居里温度NiZn铁氧体材料及制备方法 [P].

余忠 ;

孙科 ;

蒋晓娜 ;

兰中文 ;

郭荣迪 ;

许志勇 .

中国专利 :CN102390984A ,2012-03-28

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