具有高居里温度的Ⅰ-Ⅱ-Ⅴ族稀磁半导体材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110063520.7

申请日：

2021-01-18

公开(公告)号：

CN112863802A

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

毋志民李越丁守兵罗一瑛李可心

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区大学城中路37号重庆师范大学

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01F4102 C30B2952 C30B2802

代理机构：

北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129

代理人：

吕小琴

法律状态：

公开

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[2]

居里温度可调系列稀磁半导体及其制备方法 [P].

杨怡 ;

焦志伟 .

中国专利 :CN108766706A ,2018-11-06

[3]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[4]

高居里温度材料及制备方法 [P].

孙锐 ;

卢俊丽 ;

孙学中 .

中国专利 :CN105803332A ,2016-07-27

[5]

一种稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

赵侃 ;

邓正 ;

靳常青 .

中国专利 :CN103911660B ,2014-07-09

[6]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[7]

一种稀磁半导体材料制备方法 [P].

杨晓艳 .

中国专利 :CN107833727A ,2018-03-23

[8]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[9]

一种黄铜矿结构的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

郭永权 ;

解娜娜 .

中国专利 :CN105523527A ,2016-04-27

[10]

一种具有高居里温度的二维铁磁材料及其制备方法 [P].

王中长 ;

曾文 ;

孙蓉 ;

张志恒 .

中国专利 :CN119889857A ,2025-04-25

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