具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710329753.0

申请日：

2017-05-11

公开(公告)号：

CN107025971B

公开(公告)日：

2017-08-08

发明(设计)人：

金立川洪彩云张怀武饶毅恒唐晓莉钟智勇白飞明

申请人：

申请人地址：

611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01L29167 H01L2102

代理机构：

北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514

代理人：

孟凡臣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101745170012 IPC(主分类):H01F 1/40 专利申请号:2017103297530 申请日:20170511
2017-08-08	公开	公开
2019-02-01	授权	授权

共 50 条

[1]

具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

赵荣娟 .

中国专利 :CN1924095A ,2007-03-07

[2]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[3]

具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

熊泽 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102676994A ,2012-09-19

[4]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

[5]

一种调控稀磁半导体材料室温磁性的方法 [P].

吴琛 ;

丁文洋 ;

严密 .

中国专利 :CN105470116A ,2016-04-06

[6]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[7]

具有巨磁阻效应的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

靳常青 ;

于爽 ;

邓正 .

中国专利 :CN109841369B ,2019-06-04

[8]

具有高居里温度的稀磁半导体材料及其制备方法 [P].

姜岩峰 .

中国专利 :CN101404198A ,2009-04-08

[9]

一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法 [P].

梁李敏 ;

刘彩池 ;

李英 .

中国专利 :CN109440075B ,2019-03-08

[10]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

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