具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210185344.5

申请日：

2012-06-07

公开(公告)号：

CN102676994A

公开(公告)日：

2012-09-19

发明(设计)人：

熊泽刘学超卓世异孔海宽杨建华施尔畏

申请人：

申请人地址：

201800 上海市嘉定区城北路215号

IPC主分类号：

C23C1408

IPC分类号：

C23C1434

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-21	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101736072997 IPC(主分类):C23C 14/08 专利号:ZL2012101853445 申请日:20120607 授权公告日:20140716 终止日期:20160607
2012-11-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101346519000 IPC(主分类):C23C 14/08 专利申请号:2012101853445 申请日:20120607
2012-09-19	公开	公开
2014-07-16	授权	授权

共 50 条

[1]

一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

刘学超 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102270737A ,2011-12-07

[2]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[3]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[4]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[5]

具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

赵荣娟 .

中国专利 :CN1924095A ,2007-03-07

[6]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[7]

Co-Ga共掺的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

叶志镇 ;

张利强 ;

张银珠 ;

吕建国 ;

何海平 ;

朱丽萍 .

中国专利 :CN101483219A ,2009-07-15

[8]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

[9]

一维介孔晶的ZnO基稀磁半导体及其制备方法 [P].

戴李宗 ;

肖文军 ;

吴廷华 ;

许一婷 ;

罗伟昂 .

中国专利 :CN101913646B ,2010-12-15

[10]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

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