一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110031688.6

申请日：

2011-01-28

公开(公告)号：

CN102270737A

公开(公告)日：

2011-12-07

发明(设计)人：

刘学超陈之战杨建华施尔畏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01L4310

IPC分类号：

H01L4312 H01L21203 C23C1408 C23C1434

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

许亦琳;余明伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-05	授权	授权
2011-12-07	公开	公开
2012-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101174910887 IPC(主分类):H01L 43/10 专利申请号:2011100316886 申请日:20110128

共 50 条

[1]

具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

熊泽 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102676994A ,2012-09-19

[2]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[3]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

[4]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[5]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[6]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[7]

具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

赵荣娟 .

中国专利 :CN1924095A ,2007-03-07

[8]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[9]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[10]

一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

周仁伟 ;

刘学超 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN105551794A ,2016-05-04

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