一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201511008671.3

申请日：

2015-12-29

公开(公告)号：

CN105551794A

公开(公告)日：

2016-05-04

发明(设计)人：

周仁伟刘学超郑燕青施尔畏

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区定西路1295号

IPC主分类号：

H01F4122

IPC分类号：

H01F140 H01F10193 C23C1632 C23C1656

代理机构：

上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261

代理人：

曹芳玲;郑优丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101662918388 IPC(主分类):H01F 41/22 专利申请号:2015110086713 申请日:20151229
2017-10-10	授权	授权
2016-05-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[2]

ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

张玉骏 ;

罗屹东 ;

南策文 .

中国专利 :CN103074576B ,2013-05-01

[3]

一种制备稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王晓亮 ;

姜丽娟 ;

刘超 ;

肖红领 ;

冉军学 ;

王翠梅 .

中国专利 :CN101471244B ,2009-07-01

[4]

一种稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

彭寿 ;

沈洪雪 ;

姚婷婷 ;

杨勇 ;

李刚 .

中国专利 :CN108707864A ,2018-10-26

[5]

一种Mg掺杂AlN基稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

熊娟 ;

顾豪爽 ;

杨洋 ;

郭飞 .

中国专利 :CN103334083A ,2013-10-02

[6]

一种Si掺杂AlN稀磁半导体薄膜的制备方法 [P].

吴荣 ;

任银拴 ;

简基康 ;

潘东 ;

娄阳 ;

蒋小康 ;

李锦 ;

孙言飞 ;

任会会 .

中国专利 :CN102352485A ,2012-02-15

[7]

具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

赵荣娟 .

中国专利 :CN1924095A ,2007-03-07

[8]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

[9]

一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

刘学超 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102270737A ,2011-12-07

[10]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

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