具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610112791.2

申请日：

2006-09-01

公开(公告)号：

CN1924095A

公开(公告)日：

2007-03-07

发明(设计)人：

林元华南策文赵荣娟

申请人：

申请人地址：

100084北京市100084－82信箱

IPC主分类号：

C23C3000

IPC分类号：

C23C1802

代理机构：

北京众合诚成知识产权代理有限公司

代理人：

李光松

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-01-14	授权	授权
2007-05-02	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-07	公开	公开
2022-08-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 30/00 申请日:20060901 授权公告日:20090114 终止日期:20210901

共 50 条

[1]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[2]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

[3]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[4]

具有内禀铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

熊泽 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

孔海宽 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102676994A ,2012-09-19

[5]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[6]

一种具有内禀铁磁性ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

刘学超 ;

陈之战 ;

杨建华 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN102270737A ,2011-12-07

[7]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[8]

氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法 [P].

王金斌 ;

何春 ;

钟向丽 ;

周益春 ;

郑学军 .

中国专利 :CN101262040B ,2008-09-10

[9]

一种用于In基半导体材料的稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN116479385B ,2025-12-09

[10]

一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

周仁伟 ;

刘学超 ;

郑燕青 ;

施尔畏 .

中国专利 :CN105551794A ,2016-05-04

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