一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811283399.3

申请日：

2018-10-31

公开(公告)号：

CN109440075B

公开(公告)日：

2019-03-08

发明(设计)人：

梁李敏刘彩池李英

申请人：

申请人地址：

300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#

IPC主分类号：

C23C1448

IPC分类号：

C23C1458 C23C1634 H01F140 H01F4114 H01F4132

代理机构：

天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210

代理人：

赵凤英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-08	公开	公开
2020-12-22	授权	授权
2019-04-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/48 申请日:20181031

共 50 条

[1]

采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

孙莉莉 ;

闫发旺 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101894651A ,2010-11-24

[2]

一种调控稀磁半导体材料室温磁性的方法 [P].

吴琛 ;

丁文洋 ;

严密 .

中国专利 :CN105470116A ,2016-04-06

[3]

具有室温铁磁性的稀磁半导体材料及其制备方法和用途 [P].

金立川 ;

洪彩云 ;

张怀武 ;

饶毅恒 ;

唐晓莉 ;

钟智勇 ;

白飞明 .

中国专利 :CN107025971B ,2017-08-08

[4]

一种增强ZnO基稀磁半导体薄膜室温铁磁性的方法 [P].

陈卫宾 ;

刘学超 ;

卓世异 ;

施尔畏 ;

孔海宽 .

中国专利 :CN105161288A ,2015-12-16

[5]

制备GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

张国义 ;

陈志涛 ;

苏月永 ;

杨志坚 ;

杨学林 ;

沈波 .

中国专利 :CN1822320A ,2006-08-23

[6]

一种具有室温铁磁性的ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

罗曦 ;

张敬霖 ;

于一鹏 ;

卢凤双 ;

吴滨 ;

张建生 ;

张建福 ;

祁焱 .

中国专利 :CN112708861B ,2021-04-27

[7]

离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法 [P].

张荣 ;

徐剑 ;

修向前 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

韩平 ;

朱顺明 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1388537A ,2003-01-01

[8]

一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法 [P].

王金斌 ;

黄贵军 ;

钟向丽 ;

张艳杰 ;

郑学军 ;

周益春 .

中国专利 :CN101086060A ,2007-12-12

[9]

具有室温铁磁性的氧化物基稀磁半导体薄膜及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

赵荣娟 .

中国专利 :CN1924095A ,2007-03-07

[10]

一种具有室温铁磁性的TiO基稀磁半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

罗曦 ;

于一鹏 ;

张敬霖 ;

卢凤双 ;

王晶 ;

刘军凯 ;

李增 ;

李海鹏 ;

刘派 ;

张建生 ;

张建福 .

中国专利 :CN118639188A ,2024-09-13

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