离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02113082.5

申请日：

2002-05-31

公开(公告)号：

CN1388537A

公开(公告)日：

2003-01-01

发明(设计)人：

张荣徐剑修向前郑有炓顾书林沈波江若琏施毅韩平朱顺明胡立群

申请人：

申请人地址：

210093江苏省南京市汉口路22号

IPC主分类号：

H01F140

IPC分类号：

H01F4100 H01L21265

代理机构：

南京知识律师事务所

代理人：

陈建和

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-01-01	公开	公开
2003-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-11-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2002-10-09	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 [P].

张荣 ;

徐剑 ;

修向前 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

韩平 ;

朱顺明 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1177335C ,2002-12-04

[2]

多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 [P].

张富强 ;

陈诺夫 .

中国专利 :CN1585049A ,2005-02-23

[3]

采用离子注入制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 [P].

孙莉莉 ;

闫发旺 ;

张会肖 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101894651A ,2010-11-24

[4]

大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 [P].

宋书林 ;

陈诺夫 ;

周剑平 ;

杨少延 ;

刘志凯 ;

柴春林 .

中国专利 :CN1591784A ,2005-03-09

[5]

GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用 [P].

谢自力 ;

张荣 ;

崔旭高 ;

陶志阔 ;

修向前 ;

韩平 ;

陈鹏 ;

赵红 ;

刘斌 ;

李弋 ;

宋黎红 ;

崔颖超 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN100533667C ,2008-12-24

[6]

溶胶－凝胶(Sol－Gel)法制备ZnO基稀释磁性半导体 [P].

张荣 ;

修向前 ;

徐晓峰 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

韩平 ;

朱顺明 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1383161A ,2002-12-04

[7]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[8]

一种提高离子注入GaN基稀磁半导体材料室温铁磁性的热退火方法 [P].

梁李敏 ;

刘彩池 ;

李英 .

中国专利 :CN109440075B ,2019-03-08

[9]

半导体离子注入设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN222995349U ,2025-06-17

[10]

利用改进型离子注入法制造的半导体结构 [P].

S·切瑞克德简 ;

藤本优子 ;

R·O·马斯克梅耶 ;

松本武 .

中国专利 :CN102782833A ,2012-11-14

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