大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03155722.8

申请日：

2003-08-29

公开(公告)号：

CN1591784A

公开(公告)日：

2005-03-09

发明(设计)人：

宋书林陈诺夫周剑平杨少延刘志凯柴春林

申请人：

申请人地址：

100083北京市海淀区清华东路甲35号

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

H01L21324 H01F140 H01F4102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

汤保平

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2005-03-09	公开	公开
2005-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 [P].

张富强 ;

陈诺夫 .

中国专利 :CN1585049A ,2005-02-23

[2]

离子注入法制备AlN基稀释磁性半导体材料的方法 [P].

张荣 ;

徐剑 ;

修向前 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

韩平 ;

朱顺明 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1177335C ,2002-12-04

[3]

离子注入能量的监测方法和半导体结构 [P].

李岩 ;

杨健 ;

马富林 ;

李超 ;

赵强 .

中国专利 :CN110047773A ,2019-07-23

[4]

半导体器件的离子注入方法 [P].

何永根 ;

戴树刚 .

中国专利 :CN101308786A ,2008-11-19

[5]

高能离子注入方法及半导体结构 [P].

陈勇 ;

卜伟海 .

中国专利 :CN105529250B ,2016-04-27

[6]

离子注入法制备GaN基稀释磁性半导体材料的方法 [P].

张荣 ;

徐剑 ;

修向前 ;

郑有炓 ;

顾书林 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

韩平 ;

朱顺明 ;

胡立群 .

中国专利 :CN1388537A ,2003-01-01

[7]

利用改进型离子注入法制造的半导体结构 [P].

S·切瑞克德简 ;

藤本优子 ;

R·O·马斯克梅耶 ;

松本武 .

中国专利 :CN102782833A ,2012-11-14

[8]

半导体离子注入设备 [P].

请求不公布姓名 ;

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN222995349U ,2025-06-17

[9]

离子注入装置及半导体结构 [P].

李亚 .

中国专利 :CN223193753U ,2025-08-05

[10]

离子注入方法及半导体器件的制造方法 [P].

丁宇 ;

居建华 .

中国专利 :CN101593682B ,2009-12-02

← 1 2 3 4 5 →