第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201721780172.0

申请日：

2017-12-19

公开(公告)号：

CN207801150U

公开(公告)日：

2018-08-31

发明(设计)人：

王子昊朱忻

申请人：

申请人地址：

215614 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰科创园D栋，矩阵光电

IPC主分类号：

H01S502

IPC分类号：

H01S532

代理机构：

北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250

代理人：

陈博旸

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-31	授权	授权

共 50 条

[1]

具有至少第一半导体组件、第二半导体组件和散热器的半导体模块 [P].

马蒂亚斯·奈里格 ;

延斯·施门格 .

德国专利 :CN119547191A ,2025-02-28

[2]

具有第一半导体器件并具有多个第二半导体器件的半导体器件装置 [P].

R.维斯 ;

F.希勒 ;

M.菲尔德科勒 ;

G.德博伊 ;

M.斯特彻尔 ;

A.维尔梅洛斯 .

中国专利 :CN106057801A ,2016-10-26

[3]

具有第一半导体器件并具有多个第二半导体器件的半导体器件装置 [P].

R.维斯 ;

F.希勒 ;

M.菲尔德科勒 ;

G.德博伊 ;

M.斯特彻尔 ;

A.维尔梅洛斯 .

中国专利 :CN103503138A ,2014-01-08

[4]

半导体组件和半导体器件 [P].

刘春利 ;

A·萨利 .

中国专利 :CN204792696U ,2015-11-18

[5]

半导体器件和半导体组件 [P].

S·乔布洛特 ;

P·巴尔 .

中国专利 :CN203277371U ,2013-11-06

[6]

包括第一和第二半导体元件的半导体器件 [P].

U.格拉泽 ;

F.希尔勒 ;

C.伦兹霍费尔 .

中国专利 :CN103165597A ,2013-06-19

[7]

包括第一和第二半导体材料的半导体器件 [P].

弗朗茨·约瑟夫·尼德尔诺什特海德 ;

汉斯-约阿希姆·舒尔茨 ;

斯特凡·福斯 .

中国专利 :CN103426909B ,2013-12-04

[8]

具有第一半导体器件并具有多个第二半导体器件的电路装置 [P].

R.维斯 .

中国专利 :CN103681666A ,2014-03-26

[9]

半导体器件和半导体组件 [P].

濑户雅晴 .

中国专利 :CN100409431C ,2005-09-14

[10]

半导体器件和半导体组件 [P].

坂本则明 ;

小林义幸 ;

阪本纯次 ;

冈田幸夫 ;

五十岚优助 ;

前原荣寿 ;

高桥幸嗣 .

中国专利 :CN1347154A ,2002-05-01

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