一种氧化铟气敏元件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810270977.3

申请日：

2018-03-29

公开(公告)号：

CN108760831A

公开(公告)日：

2018-11-06

发明(设计)人：

吕滨陈鹏陈红兵邹杰伊斐艳程红梅李红霞

申请人：

申请人地址：

315211 浙江省宁波市江北区风华路818号

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

代理机构：

锦州辽西专利事务所(普通合伙) 21225

代理人：

王佳佳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-11-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/12 申请日:20180329
2022-08-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01N 27/12 登记生效日:20220722 变更事项:专利权人变更前权利人:宁波大学变更后权利人:深圳龙图腾科技成果转化有限公司变更事项:地址变更前权利人:315211 浙江省宁波市江北区风华路818号变更后权利人:518000 广东省深圳市罗湖区笋岗街道笋岗东路3002号万通大厦22层2202室
2020-11-06	授权	授权
2018-11-06	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜型气敏元件的制备方法 [P].

张磊 ;

焦万丽 .

中国专利 :CN103529080A ,2014-01-22

[2]

一种氧化铟/掺金氧化铟纳米球气敏材料的制备方法 [P].

魏晶 ;

武月 ;

冯冰溪 .

中国专利 :CN114380322A ,2022-04-22

[3]

一种多孔柱状氧化铟气敏薄膜的制备方法 [P].

刘皓 ;

徐瑶华 ;

张晓 ;

赵文瑞 ;

魏峰 .

中国专利 :CN112760603A ,2021-05-07

[4]

一种分级结构的花状氧化铟气敏材料的制备方法 [P].

韩丹 ;

宋鹏 ;

王琦 ;

杨中喜 ;

张慧慧 .

中国专利 :CN104229871A ,2014-12-24

[5]

气敏元件的制备方法 [P].

王维熙 ;

王维平 .

中国专利 :CN101545882B ,2009-09-30

[6]

一种锰掺杂氧化铟气敏材料的快速制备方法 [P].

孙永娇 ;

陈琳 ;

胡杰 ;

王文达 ;

李朋伟 ;

李刚 ;

张文栋 ;

陈勇 .

中国专利 :CN108394930A ,2018-08-14

[7]

一种贵金属改性氧化铟气敏材料的制备方法 [P].

杨黎 ;

张德起 ;

郭胜惠 ;

高冀芸 ;

侯明 ;

杜倩 ;

麻艳佳 ;

朱烨 .

中国专利 :CN114994145A ,2022-09-02

[8]

一种纳米棒状氧化铟气敏材料的制备方法 [P].

李志杰 ;

闫胜男 .

中国专利 :CN108455659A ,2018-08-28

[9]

一种Ni修饰的五氧化二铌气敏元件及其制备方法与应用 [P].

戴文新 ;

王笑笑 ;

陈旬 ;

张子重 ;

付贤智 .

中国专利 :CN112730533B ,2021-04-30

[10]

三维结构纳米氧化铟气敏传感器及其制备方法 [P].

齐天骄 ;

杨希 ;

杨芳 ;

田昕 ;

左继 .

中国专利 :CN107024518A ,2017-08-08

← 1 2 3 4 5 →