一种Mg原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110186779.0

申请日：

2021-02-18

公开(公告)号：

CN112981348A

公开(公告)日：

2021-06-18

发明(设计)人：

陈占国刘晓航陈曦赵纪红刘秀环侯丽新高延军

申请人：

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

C23C1435

IPC分类号：

C23C1406 C23C1418 C23C1458

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-18	公开	公开
2021-10-01	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):C23C 14/35 申请公布日:20210618
2021-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 14/35 申请日:20210218

共 50 条

[1]

一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

范盛达 ;

刘晓航 ;

陈曦 ;

侯丽新 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

高延军 .

中国专利 :CN117512559A ,2024-02-06

[2]

一种Zn原位掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

王鑫 ;

侯丽新 ;

刘秀环 ;

全海燕 ;

王帅 ;

高延军 ;

贾刚 .

中国专利 :CN108330458B ,2018-07-27

[3]

一种原位C掺杂的P型六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

陈占国 ;

范盛达 ;

刘晓航 ;

陈曦 ;

侯丽新 ;

刘秀环 ;

赵纪红 ;

高延军 .

中国专利 :CN117512559B ,2025-10-31

[4]

基于p型掺杂的六方氮化硼外延薄膜制备方法 [P].

周小伟 ;

岳文凯 ;

李培咸 ;

吴金星 ;

王燕丽 ;

许晟瑞 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN111986987A ,2020-11-24

[5]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[6]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[7]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[8]

一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

唐武 ;

张子昌 .

中国专利 :CN108425095B ,2018-08-21

[9]

多层六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

时志远 ;

吴天如 ;

卢光远 ;

王秀君 ;

张超 ;

王浩敏 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN110921637B ,2020-03-27

[10]

一种制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

卢光远 ;

吴天如 ;

宋阳曦 ;

王浩敏 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103774113B ,2014-05-07

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