一种制备六方氮化硼薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410062801.0

申请日：

2014-02-24

公开(公告)号：

CN103774113B

公开(公告)日：

2014-05-07

发明(设计)人：

卢光远吴天如宋阳曦王浩敏谢晓明江绵恒

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

C23C1634

IPC分类号：

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-07	公开	公开
2014-06-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582693057 IPC(主分类):C23C 16/34 专利申请号:2014100628010 申请日:20140224
2015-10-28	授权	授权

共 50 条

[1]

多层六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

时志远 ;

吴天如 ;

卢光远 ;

王秀君 ;

张超 ;

王浩敏 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN110921637B ,2020-03-27

[2]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[3]

一种六方氮化硼薄膜的转移方法 [P].

赵士超 ;

金圣忠 ;

张琪 ;

吴斌 ;

吕燕飞 .

中国专利 :CN105908152B ,2016-08-31

[4]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[5]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[6]

一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法 [P].

武斌 ;

姚文乾 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN111826712A ,2020-10-27

[7]

一种晶体六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

唐武 ;

张子昌 .

中国专利 :CN108425095B ,2018-08-21

[8]

一种在常压下化学气相沉积制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

王洁琼 ;

高广存 .

中国专利 :CN115613130A ,2023-01-17

[9]

一种在常压下化学气相沉积制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

王洁琼 ;

高广存 .

中国专利 :CN115613130B ,2024-06-04

[10]

一种六方氮化硼异质结的制备方法及六方氮化硼异质结 [P].

王浩林 ;

谢涌 .

中国专利 :CN113224141A ,2021-08-06

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