一种六方氮化硼薄膜的转移方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610283359.3

申请日：

2016-04-29

公开(公告)号：

CN105908152B

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

赵士超金圣忠张琪吴斌吕燕飞

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

IPC主分类号：

C23C1656

IPC分类号：

C23C1634 C23C1640 C23C1601

代理机构：

杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240

代理人：

杜军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	授权	授权
2016-08-31	公开	公开
2016-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101680688616 IPC(主分类):C23C 16/56 专利申请号:2016102833593 申请日:20160429
2021-01-15	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C23C 16/56 登记生效日:20210105 变更事项:专利权人变更前权利人:浙江启博知识产权运营有限公司变更后权利人:江苏中商碳素研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:310018 浙江省杭州市钱塘新区白杨街道科技园路20号9幢504室变更后权利人:221600 江苏省徐州市沛县经济开发区沛公路北侧、汉润路东侧（科技创业园）

共 50 条

[1]

一种六方氮化硼薄膜的制备方法及六方氮化硼薄膜 [P].

王浩林 .

中国专利 :CN113106417A ,2021-07-13

[2]

一种制备晶片级均匀六方氮化硼薄膜的方法 [P].

武斌 ;

姚文乾 ;

刘云圻 .

中国专利 :CN111826712A ,2020-10-27

[3]

一种制备六方氮化硼薄膜的方法 [P].

卢光远 ;

吴天如 ;

宋阳曦 ;

王浩敏 ;

谢晓明 ;

江绵恒 .

中国专利 :CN103774113B ,2014-05-07

[4]

一种六方氮化硼薄膜生长方法及六方氮化硼薄膜 [P].

孙晓娟 ;

隋佳恩 ;

贾玉萍 ;

张山丽 ;

蒋科 ;

石芝铭 .

中国专利 :CN112086343A ,2020-12-15

[5]

多层六方氮化硼薄膜的制备方法 [P].

时志远 ;

吴天如 ;

卢光远 ;

王秀君 ;

张超 ;

王浩敏 ;

谢晓明 .

中国专利 :CN110921637B ,2020-03-27

[6]

六方氮化硼粉体及三维氮化硼的制备方法 [P].

魏大程 ;

夏冬云 ;

李孟林 ;

李科 ;

亓国强 ;

曹敏 ;

张彩云 ;

蔡智 ;

彭兰 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104803362B ,2015-07-29

[7]

一种降低六方氮化硼二维薄膜厚度的方法 [P].

赵士超 ;

张琪 ;

吕燕飞 ;

金圣忠 .

中国专利 :CN105648419B ,2016-06-08

[8]

快速等厚生长高介电性能六方氮化硼薄膜的方法及薄膜 [P].

高力波 ;

郑航 ;

袁国文 .

中国专利 :CN118374789A ,2024-07-23

[9]

六方氮化硼薄膜及其制备方法 [P].

赵昱 ;

王浩 ;

杨晓霞 ;

王文龙 ;

白雪冬 .

中国专利 :CN111575674A ,2020-08-25

[10]

一种六方氮化硼薄膜的制备剥离及转移方法 [P].

李强 ;

白云鹤 ;

张启凡 ;

秦潇 ;

云峰 .

中国专利 :CN111155065A ,2020-05-15

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