低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010139134.3

申请日：

2010-03-19

公开(公告)号：

CN102194696B

公开(公告)日：

2011-09-21

发明(设计)人：

许修文

申请人：

申请人地址：

中国台湾台北县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128 H01L2978 H01L29423

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

王月玲;武玉琴

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-21	公开	公开
2013-11-06	授权	授权
2017-05-24	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101751872408 IPC(主分类):H01L 21/336 专利号:ZL2010101391343 登记生效日:20170504 变更事项:专利权人变更前权利人:科轩微电子股份有限公司变更后权利人:帅群微电子股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:中国台湾台北县变更后权利人:中国台湾新竹县
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20100319 授权公告日:20131106 终止日期:20180319
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101141113065 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2010101391343 申请日:20100319

共 50 条

[1]

低栅极电荷的沟槽式功率半导体的制造方法及其结构 [P].

许修文 ;

倪君伟 ;

涂高维 .

中国专利 :CN101847603A ,2010-09-29

[2]

低栅极阻抗的功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102263020A ,2011-11-30

[3]

沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN103377939B ,2013-10-30

[4]

沟槽栅极功率半导体装置及其制造方法 [P].

渡辺祐司 ;

岸雅人 ;

佐藤広輝 ;

竹森俊之 ;

丸岡道明 .

中国专利 :CN103250254A ,2013-08-14

[5]

高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102810475A ,2012-12-05

[6]

沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN103489782A ,2014-01-01

[7]

屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法 [P].

苏毅 .

中国专利 :CN111697082B ,2024-11-29

[8]

屏蔽栅极沟槽半导体装置及其制造方法 [P].

苏毅 .

中国专利 :CN111697082A ,2020-09-22

[9]

自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

叶俊莹 .

中国专利 :CN102263019B ,2011-11-30

[10]

沟槽式功率半导体制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102376554B ,2012-03-14

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