高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110142222.3

申请日：

2011-05-30

公开(公告)号：

CN102810475A

公开(公告)日：

2012-12-05

发明(设计)人：

许修文

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2978 H01L2949

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

项荣;武玉琴

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101388120489 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101422223 申请日:20110530
2012-12-05	公开	公开
2015-11-25	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101724344727 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2011101422223 申请公布日:20121205

共 50 条

[1]

高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102222617A ,2011-10-19

[2]

沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN103377939B ,2013-10-30

[3]

低栅极阻抗的沟槽式功率半导体结构及其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102194696B ,2011-09-21

[4]

高密度半导体结构 [P].

曾俊砚 ;

龙镜丞 ;

郭有策 ;

黄俊宪 ;

王淑如 .

中国专利 :CN107785370A ,2018-03-09

[5]

高密度沟槽器件结构及其制造方法 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN111769157A ,2020-10-13

[6]

沟槽式功率半导体制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102376554B ,2012-03-14

[7]

低栅极电荷的沟槽式功率半导体的制造方法及其结构 [P].

许修文 ;

倪君伟 ;

涂高维 .

中国专利 :CN101847603A ,2010-09-29

[8]

高密度沟槽器件结构 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN212517212U ,2021-02-09

[9]

沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN103489782A ,2014-01-01

[10]

自对准沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

叶俊莹 .

中国专利 :CN102263019B ,2011-11-30

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