高密度沟槽器件结构

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202021631421.1

申请日：

2020-08-07

公开(公告)号：

CN212517212U

公开(公告)日：

2021-02-09

发明(设计)人：

苏亚兵马一洁何鑫鑫

申请人：

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

高密度沟槽器件结构及其制造方法 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN111769157A ,2020-10-13

[2]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[3]

一种高密度沟槽栅IGBT器件 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN222051746U ,2024-11-22

[4]

高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN106653831A ,2017-05-10

[5]

超高密度沟槽MOSFET雪崩改进的结构 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN1941417A ,2007-04-04

[6]

高密度功率器件 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN213150778U ,2021-05-07

[7]

低阈值高密度沟槽MOSFET [P].

雷燮光 ;

马督儿·博德 ;

李文雯 ;

王晓彬 ;

管灵鹏 .

加拿大专利 :CN119545858A ,2025-02-28

[8]

高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102810475A ,2012-12-05

[9]

高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102222617A ,2011-10-19

[10]

表面组装与元器件高密度互连封装结构 [P].

严俊 ;

王鹏 ;

曹辉 ;

吴宪军 ;

高健 ;

赵华 ;

宋宪辉 ;

刘红乾 ;

胡道敏 ;

周海龙 .

中国专利 :CN223566615U ,2025-11-18

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