高密度沟槽器件结构及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010790604.6

申请日：

2020-08-07

公开(公告)号：

CN111769157A

公开(公告)日：

2020-10-13

发明(设计)人：

苏亚兵马一洁何鑫鑫

申请人：

申请人地址：

201323 上海市浦东新区祝桥镇施湾七路1001号2幢

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29423 H01L2978 H01L21336 H01L2128

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

党蕾

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20200807
2020-10-13	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度沟槽器件结构 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN212517212U ,2021-02-09

[2]

高密度低压沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN106653831A ,2017-05-10

[3]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[4]

高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102810475A ,2012-12-05

[5]

高密度沟槽式功率半导体结构的制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102222617A ,2011-10-19

[6]

高密度DreaMOS器件及其制作方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN114649414A ,2022-06-21

[7]

自对准源极接触孔的高密度沟槽型器件结构及其制备方法 [P].

陈雪萌 ;

王艳颖 ;

杨林森 ;

陈一 .

中国专利 :CN107578992A ,2018-01-12

[8]

超高密度沟槽MOSFET雪崩改进的结构 [P].

谢福渊 .

中国专利 :CN1941417A ,2007-04-04

[9]

一种高密度沟槽栅IGBT器件 [P].

王丕龙 ;

王新强 ;

杨玉珍 .

中国专利 :CN222051746U ,2024-11-22

[10]

宽带隙高密度半导体开关器件及其制造方法 [P].

M·萨焦 ;

S·拉斯库纳 ;

F·罗卡福尔特 .

中国专利 :CN105206681A ,2015-12-30

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