宽带隙高密度半导体开关器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510227535.7

申请日：

2015-05-06

公开(公告)号：

CN105206681A

公开(公告)日：

2015-12-30

发明(设计)人：

M·萨焦 S·拉斯库纳 F·罗卡福尔特

申请人：

申请人地址：

意大利阿格拉布里安扎

IPC主分类号：

H01L29861

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

北京市金杜律师事务所 11256

代理人：

王茂华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101663312180 IPC(主分类):H01L 29/861 专利申请号:2015102275357 申请日:20150506
2015-12-30	公开	公开
2020-12-08	授权	授权

共 50 条

[1]

宽带隙高密度半导体开关器件 [P].

M·萨焦 ;

S·拉斯库纳 ;

F·罗卡福尔特 .

中国专利 :CN204966510U ,2016-01-13

[2]

宽带隙半导体器件及其制造方法 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN104508824A ,2015-04-08

[3]

宽带隙半导体器件 [P].

丹尼尔·屈克 ;

托马斯·艾兴格尔 ;

弗朗茨·希尔勒 ;

安东·毛德 .

中国专利 :CN106449728A ,2017-02-22

[4]

宽带隙半导体器件 [P].

上野胜典 .

中国专利 :CN101877529A ,2010-11-03

[5]

有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件及其制造方法 [P].

M·萨焦 ;

S·拉斯库纳 .

中国专利 :CN106486552A ,2017-03-08

[6]

半导体开关器件及其制造方法 [P].

杨智超 ;

S.A.科恩 ;

李保振 .

中国专利 :CN103563083A ,2014-02-05

[7]

有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件 [P].

M·萨焦 ;

S·拉斯库纳 .

中国专利 :CN205645825U ,2016-10-12

[8]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04

[9]

宽带隙半导体器件 [P].

世亨·柳 .

中国专利 :CN112534586A ,2021-03-19

[10]

宽带隙半导体装置以及宽带隙半导体装置的制造方法 [P].

前山雄介 ;

中村俊一 ;

小笠原淳 ;

大泽良平 ;

涉川昭彦 .

中国专利 :CN107078167A ,2017-08-18

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