半导体开关器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280024800.6

申请日：

2012-05-10

公开(公告)号：

CN103563083A

公开(公告)日：

2014-02-05

发明(设计)人：

杨智超 S.A.科恩李保振

申请人：

申请人地址：

美国纽约阿芒克

IPC主分类号：

H01L2900

IPC分类号：

H01L218238 H01L21205

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

焦玉恒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	授权	授权
2014-02-05	公开	公开
2014-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101576325437 IPC(主分类):H01L 29/00 专利申请号:2012800248006 申请日:20120510

共 50 条

[1]

双跨导半导体开关器件及其制造方法 [P].

张乃千 ;

陈洪维 ;

裴风丽 .

中国专利 :CN103337520A ,2013-10-02

[2]

硅高速半导体开关器件制造方法 [P].

亢宝位 ;

贾云鹏 .

中国专利 :CN1471146A ,2004-01-28

[3]

半导体开关器件 [P].

彭家驱 .

中国专利 :CN100454540C ,2007-06-27

[4]

半导体开关器件 [P].

T.维克斯特雷姆 .

中国专利 :CN110383463A ,2019-10-25

[5]

半导体开关器件 [P].

C·W·希区柯克 ;

S·J·肯纳利 ;

L·D·斯特万诺维奇 .

美国专利 :CN118486724A ,2024-08-13

[6]

半导体开关器件 [P].

C·W·希区柯克 ;

S·J·肯纳利 ;

L·D·斯特万诺维奇 .

美国专利 :CN118472032A ,2024-08-09

[7]

半导体器件及其制造方法 [P].

唐粕人 .

中国专利 :CN109904120B ,2019-06-18

[8]

半导体器件及其制造方法 [P].

李东洙 ;

李明宰 ;

赵成豪 ;

穆罕默德·拉基布·乌丁 ;

大卫·徐 ;

梁炆承 ;

李商文 ;

李成训 ;

许智贤 ;

黄义澈 .

中国专利 :CN104425620A ,2015-03-18

[9]

半导体器件及其制造方法 [P].

杨海宁 ;

李伟健 .

中国专利 :CN101093832A ,2007-12-26

[10]

半导体器件及其制造方法 [P].

安正烈 ;

李闰敬 .

中国专利 :CN102969314A ,2013-03-13

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