半导体开关器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510133938.1

申请日：

2005-12-19

公开(公告)号：

CN100454540C

公开(公告)日：

2007-06-27

发明(设计)人：

彭家驱

申请人：

申请人地址：

361005福建省厦门市思明南路422号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H03K17567

代理机构：

厦门南强之路专利事务所

代理人：

马应森

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-26	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/02 申请日:20051219 授权公告日:20090121 终止日期:20201219
2007-06-27	公开	公开
2007-08-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-21	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体开关电路及半导体开关器件 [P].

刘志军 .

中国专利 :CN217282896U ,2022-08-23

[2]

半导体开关器件 [P].

T.维克斯特雷姆 .

中国专利 :CN110383463A ,2019-10-25

[3]

半导体开关器件 [P].

C·W·希区柯克 ;

S·J·肯纳利 ;

L·D·斯特万诺维奇 .

美国专利 :CN118486724A ,2024-08-13

[4]

半导体开关器件 [P].

C·W·希区柯克 ;

S·J·肯纳利 ;

L·D·斯特万诺维奇 .

美国专利 :CN118472032A ,2024-08-09

[5]

薄膜半导体开关器件 [P].

D·W·巴拉格 ;

L·G·肖特 ;

K·C·坎迪亚 ;

A·M·马 ;

E·W·米尔本 .

加拿大专利 :CN117795688A ,2024-03-29

[6]

高压半导体功率开关器件 [P].

谢潮声 ;

陈安邦 ;

邓志强 .

中国专利 :CN104660250A ,2015-05-27

[7]

硅高速半导体开关器件制造方法 [P].

亢宝位 ;

贾云鹏 .

中国专利 :CN1471146A ,2004-01-28

[8]

宽带隙高密度半导体开关器件 [P].

M·萨焦 ;

S·拉斯库纳 ;

F·罗卡福尔特 .

中国专利 :CN204966510U ,2016-01-13

[9]

碳化硅半导体开关器件 [P].

大野俊之 ;

岩崎贵之 ;

八尾勉 .

中国专利 :CN1286805A ,2001-03-07

[10]

一种半导体开关器件 [P].

陈海峰 .

中国专利 :CN110047925B ,2019-07-23

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