有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201620144222.5
申请日
2016-02-25
公开(公告)号
CN205645825U
公开(公告)日
2016-10-12
发明(设计)人
M·萨焦 S·拉斯库纳
申请人
申请人地址
意大利阿格拉布里安扎
IPC主分类号
H01L29872
IPC分类号
H01L2906 H01L21329
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
王茂华
法律状态
授权
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
有宽面积肖特基结的宽带隙半导体开关器件及其制造方法 [P]. 
M·萨焦 ;
S·拉斯库纳 .
中国专利 :CN106486552A ,2017-03-08
[2]
宽带隙高密度半导体开关器件 [P]. 
M·萨焦 ;
S·拉斯库纳 ;
F·罗卡福尔特 .
中国专利 :CN204966510U ,2016-01-13
[3]
宽带隙半导体器件 [P]. 
上野胜典 .
中国专利 :CN101877529A ,2010-11-03
[4]
宽带隙半导体器件 [P]. 
丹尼尔·屈克 ;
托马斯·艾兴格尔 ;
弗朗茨·希尔勒 ;
安东·毛德 .
中国专利 :CN106449728A ,2017-02-22
[5]
宽带隙半导体器件和用于形成宽带隙半导体器件的方法 [P]. 
T.艾兴格 ;
G.雷舍尔 ;
M.施塔特米勒 .
中国专利 :CN110349853A ,2019-10-18
[6]
宽带隙半导体中的功率器件 [P]. 
小詹姆斯·艾伯特·库珀 ;
迈克尔·R·梅洛奇 ;
贾亚拉玛·谢诺伊 ;
简·斯皮茨 .
中国专利 :CN1156017C ,2001-03-07
[7]
宽带隙高密度半导体开关器件及其制造方法 [P]. 
M·萨焦 ;
S·拉斯库纳 ;
F·罗卡福尔特 .
中国专利 :CN105206681A ,2015-12-30
[8]
宽带隙半导体器件的冷却 [P]. 
B.阿戈斯蒂尼 ;
D.托雷辛 ;
F.阿戈斯蒂尼 ;
M.哈伯特 ;
M.拉希莫 .
中国专利 :CN107452697A ,2017-12-08
[9]
具有结势垒肖特基二极管的宽带隙半导体电子器件 [P]. 
S·拉斯库纳 .
中国专利 :CN113948584A ,2022-01-18
[10]
宽带隙半导体器件 [P]. 
世亨·柳 .
美国专利 :CN112534586B ,2025-03-04