高密度功率器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202022637903.4

申请日：

2020-11-16

公开(公告)号：

CN213150778U

公开(公告)日：

2021-05-07

发明(设计)人：

王宇澄宋利军张子敏

申请人：

申请人地址：

214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3栋811

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21822

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

高密度功率器件及其制造方法 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN112259600A ,2021-01-22

[2]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[3]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN213150777U ,2021-05-07

[4]

高密度沟槽器件结构 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN212517212U ,2021-02-09

[5]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN212033028U ,2020-11-27

[6]

一种高密度倾斜沟道功率半导体器件 [P].

李琦 ;

管理 ;

陈永和 ;

翟江辉 ;

李海鸥 ;

崔现文 ;

程识 ;

叶健 ;

李佩 ;

牛玉龙 .

中国专利 :CN221304699U ,2024-07-09

[7]

一种高密度功率单元 [P].

邓安均 ;

吴金城 ;

杨静 ;

赖成毅 ;

彭伟 ;

黄立平 ;

傅源 ;

常瑞 ;

蒋国正 ;

莫红兰 .

中国专利 :CN222356193U ,2025-01-14

[8]

高密度电源 [P].

郭跃森 ;

杜帅林 ;

董慨 ;

孙玮伯 .

中国专利 :CN216959666U ,2022-07-12

[9]

高密度电源 [P].

王昆鹏 ;

张明娟 ;

杜帅林 ;

董慨 .

中国专利 :CN216721173U ,2022-06-10

[10]

一种高功率高密度半导体器件 [P].

罗艳玲 .

中国专利 :CN202839595U ,2013-03-27

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