高密度功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011276079.2

申请日：

2020-11-16

公开(公告)号：

CN112259600A

公开(公告)日：

2021-01-22

发明(设计)人：

王宇澄宋利军张子敏

申请人：

申请人地址：

214072 江苏省无锡市滨湖区建筑西路777号A3栋811

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2978 H01L21822

代理机构：

无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104

代理人：

曹祖良;涂三民

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201116
2021-01-22	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度功率器件 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN213150778U ,2021-05-07

[2]

高密度DreaMOS器件及其制作方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN114649414A ,2022-06-21

[3]

一种低压高密度trench DMOS器件制造方法 [P].

廖远宝 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

吴锦波 ;

徐政 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN111508830B ,2020-08-07

[4]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111863942A ,2020-10-30

[5]

防闩锁高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111863942B ,2024-09-06

[6]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621B ,2024-09-06

[7]

高可靠性高密度元胞功率半导体器件结构及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

周锦程 ;

王根毅 ;

周永珍 .

中国专利 :CN111584621A ,2020-08-25

[8]

高密度沟槽式功率半导体结构与其制造方法 [P].

许修文 .

中国专利 :CN102810475A ,2012-12-05

[9]

一种高密度功率模块及其封装方法 [P].

陈为平 ;

陈为亮 .

中国专利 :CN120813030A ,2025-10-17

[10]

功率器件及其制造方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109841667A ,2019-06-04

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