一种低压高密度trench DMOS器件制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010327725.7

申请日：

2020-04-23

公开(公告)号：

CN111508830B

公开(公告)日：

2020-08-07

发明(设计)人：

廖远宝洪根深吴建伟吴锦波徐政徐海铭

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

IPC主分类号：

H01L2128

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340

代理人：

杨立秋

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-02	授权	授权
2020-09-01	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/28 申请日:20200423
2020-08-07	公开	公开

共 50 条

[1]

高密度功率器件及其制造方法 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN112259600A ,2021-01-22

[2]

高密度功率器件 [P].

王宇澄 ;

宋利军 ;

张子敏 .

中国专利 :CN213150778U ,2021-05-07

[3]

高密度低压沟槽功率MOS器件 [P].

周祥瑞 ;

冷德武 ;

王毅 .

中国专利 :CN206250199U ,2017-06-13

[4]

一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法 [P].

廖远宝 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

徐政 ;

吴锦波 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN111490094B ,2020-08-04

[5]

高密度沟槽器件结构及其制造方法 [P].

苏亚兵 ;

马一洁 ;

何鑫鑫 .

中国专利 :CN111769157A ,2020-10-13

[6]

一种降低trench DMOS栅电容的制造方法 [P].

廖远宝 ;

徐政 ;

吴锦波 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN112071750B ,2020-12-11

[7]

一种Trench MOS器件 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587513U ,2021-02-23

[8]

一种Trench MOS器件及制备方法 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN111755526A ,2020-10-09

[9]

高密度DreaMOS器件及其制作方法 [P].

莫海锋 .

中国专利 :CN114649414A ,2022-06-21

[10]

一种低压DMOS器件的形成方法 [P].

王星杰 .

中国专利 :CN119486172A ,2025-02-18

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