一种Trench MOS器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010728545.X

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN111755526A

公开(公告)日：

2020-10-09

发明(设计)人：

唐呈前李生龙袁力鹏常虹

申请人：

申请人地址：

710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

党娟娟;郭永丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-09	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200724

共 50 条

[1]

一种Trench MOS器件 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587513U ,2021-02-23

[2]

一种Trench MOS功率器件及制备方法 [P].

杨科 ;

夏亮 ;

袁力鹏 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN111755525A ,2020-10-09

[3]

一种Trench MOS功率器件 [P].

杨科 ;

夏亮 ;

袁力鹏 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587514U ,2021-02-23

[4]

Trench MOS器件及其制造方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 ;

张朝宽 ;

冒晶晶 ;

柯俊吉 ;

刘欢 ;

葛景涛 ;

钟子期 ;

曹荣荣 .

中国专利 :CN117672852A ,2024-03-08

[5]

一种高可靠性的Trench MOS器件的制备方法 [P].

刘道国 ;

刘鹏飞 .

中国专利 :CN120916458A ,2025-11-07

[6]

一种Trench VDMOS器件及制备方法 [P].

夏亮 .

中国专利 :CN112117331A ,2020-12-22

[7]

一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法 [P].

廖远宝 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

徐政 ;

吴锦波 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN111490094B ,2020-08-04

[8]

一种低压高密度trench DMOS器件制造方法 [P].

廖远宝 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

吴锦波 ;

徐政 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN111508830B ,2020-08-07

[9]

MOS器件的制备方法及MOS器件 [P].

申占伟 ;

刘兴昉 ;

赵万顺 ;

王雷 ;

闫果果 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN112117326B ,2020-12-22

[10]

一种MOSFET器件及制备方法 [P].

完颜文娟 ;

袁力鹏 ;

范玮 ;

常虹 .

中国专利 :CN112234103A ,2021-01-15

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