一种Trench MOS功率器件及制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010727312.8

申请日：

2020-07-24

公开(公告)号：

CN111755525A

公开(公告)日：

2020-10-09

发明(设计)人：

杨科夏亮袁力鹏完颜文娟常虹

申请人：

申请人地址：

710018 陕西省西安市未央区经济技术开发区草滩生态产业园尚稷路8928号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

广州三环专利商标代理有限公司 44202

代理人：

党娟娟;郭永丽

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-09	公开	公开
2020-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200724

共 50 条

[1]

一种Trench MOS功率器件 [P].

杨科 ;

夏亮 ;

袁力鹏 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587514U ,2021-02-23

[2]

一种Trench MOS器件及制备方法 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN111755526A ,2020-10-09

[3]

一种Trench MOS器件 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587513U ,2021-02-23

[4]

一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166924B ,2019-01-08

[5]

一种MOS功率器件及其制备方法 [P].

程新红 ;

王谦 ;

郑理 ;

沈玲燕 ;

张栋梁 ;

顾子悦 ;

钱茹 ;

俞跃辉 .

中国专利 :CN107393814B ,2017-11-24

[6]

一种功率器件制备方法及功率器件 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN109860045A ,2019-06-07

[7]

一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166915B ,2019-01-08

[8]

一种功率器件的制备方法及功率器件 [P].

高学 ;

柴展 ;

罗杰馨 .

中国专利 :CN119730285A ,2025-03-28

[9]

一种功率器件的制备方法及功率器件 [P].

高学 ;

柴展 ;

罗杰馨 .

中国专利 :CN119730284A ,2025-03-28

[10]

Trench MOS器件及其制造方法 [P].

周东飞 ;

钟圣荣 ;

张朝宽 ;

冒晶晶 ;

柯俊吉 ;

刘欢 ;

葛景涛 ;

钟子期 ;

曹荣荣 .

中国专利 :CN117672852A ,2024-03-08

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