一种MOS功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710678411.X

申请日：

2017-08-10

公开(公告)号：

CN107393814B

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

程新红王谦郑理沈玲燕张栋梁顾子悦钱茹俞跃辉

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L21027

IPC分类号：

H01L21266 H01L2906 H01L21336 H01L2978

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-24	公开	公开
2017-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/027 申请日:20170810
2020-03-24	授权	授权

共 50 条

[1]

MOS功率器件及其制备方法 [P].

秦博 ;

吴海平 .

中国专利 :CN114695530A ,2022-07-01

[2]

MOS型功率器件及其制备方法 [P].

秦博 ;

肖秀光 ;

吴海平 .

中国专利 :CN109273529A ,2019-01-25

[3]

一种Trench MOS功率器件及制备方法 [P].

杨科 ;

夏亮 ;

袁力鹏 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN111755525A ,2020-10-09

[4]

一种Trench MOS功率器件 [P].

杨科 ;

夏亮 ;

袁力鹏 ;

完颜文娟 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587514U ,2021-02-23

[5]

MOS型功率器件及其制备方法 [P].

朱辉 ;

肖秀光 ;

吴海平 .

中国专利 :CN109103253B ,2018-12-28

[6]

一种槽型MOS功率器件 [P].

罗小蓉 ;

尹超 ;

刘建平 ;

谭桥 ;

张彦辉 ;

田瑞超 ;

吕孟山 ;

马达 .

中国专利 :CN104465778A ,2015-03-25

[7]

一种横向MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166924B ,2019-01-08

[8]

一种新型超结沟槽MOS功率器件及其制备方法 [P].

塞萨尔·龙思万里 ;

马丁虎 ;

胡舜涛 ;

庞方杰 ;

顾海彬 ;

刘桂新 ;

李防化 .

中国专利 :CN119317159A ,2025-01-14

[9]

一种平面型功率MOS器件及其制备方法 [P].

黄汇钦 ;

吴龙江 .

中国专利 :CN115224129B ,2024-05-24

[10]

深沟槽功率MOS器件及其制备方法 [P].

黄晓橹 ;

刘伯昌 ;

王代利 ;

陈逸清 .

中国专利 :CN103151309B ,2013-06-12

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