深沟槽功率MOS器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310076379.X

申请日：

2013-03-11

公开(公告)号：

CN103151309B

公开(公告)日：

2013-06-12

发明(设计)人：

黄晓橹刘伯昌王代利陈逸清

申请人：

申请人地址：

401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号

IPC主分类号：

H01L218234

IPC分类号：

H01L21336 H01L27088 H01L2978 H01L2906

代理机构：

上海光华专利事务所 31219

代理人：

李仪萍

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101490730607 IPC(主分类):H01L 21/8234 专利申请号:201310076379X 申请日:20130311
2015-03-25	授权	授权
2013-06-12	公开	公开
2019-02-05	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/8234 变更事项:专利权人变更前:中航（重庆）微电子有限公司变更后:华润微电子（重庆）有限公司变更事项:地址变更前:401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号变更后:401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号

共 50 条

[1]

深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

黄晓橹 ;

王代利 ;

刘伯昌 ;

陈逸清 .

中国专利 :CN103151310B ,2013-06-12

[2]

深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045510U ,2018-11-02

[3]

一种深沟槽功率MOS器件结构及其制备方法 [P].

周秀兰 ;

蒋正洋 ;

陈逸清 .

中国专利 :CN106531809B ,2017-03-22

[4]

低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045505U ,2018-11-02

[5]

低漏电流深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045509U ,2018-11-02

[6]

一种深沟槽功率MOS器件 [P].

朱袁正 ;

冷德武 ;

叶鹏 ;

丁磊 .

中国专利 :CN201611658U ,2010-10-20

[7]

一种深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

冷德武 ;

叶鹏 ;

丁磊 .

中国专利 :CN101771083A ,2010-07-07

[8]

超高元胞密度深沟槽功率MOS器件及其制造方法 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 ;

丁磊 .

中国专利 :CN102420252B ,2012-04-18

[9]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07

[10]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN109103257A ,2018-12-28

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