一种新型超结沟槽MOS功率器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411823204.5

申请日：

2024-12-12

公开(公告)号：

CN119317159A

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

塞萨尔·龙思万里马丁虎胡舜涛庞方杰顾海彬刘桂新李防化

申请人：

凌锐半导体（上海）有限公司

申请人地址：

201204 上海市浦东新区环科路999弄浦东国际人才港13号楼302室

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H01L23/48 H10D30/01 H10D62/10

代理机构：

北京慕达星云知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11465

代理人：

万晶晶

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20241212
2025-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

沟槽型超结功率器件及其制造方法 [P].

赵文魁 .

中国专利 :CN105405763A ,2016-03-16

[2]

沟槽型超结功率器件及其制造方法 [P].

李理 ;

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN105826377A ,2016-08-03

[3]

一种介质超结MOS型功率半导体器件及其制备方法 [P].

张金平 ;

王康 ;

罗君轶 ;

赵阳 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109166915B ,2019-01-08

[4]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113808945A ,2021-12-17

[5]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113808943A ,2021-12-17

[6]

超结功率器件及其制备方法 [P].

刘建国 ;

杨俊 ;

朱普磊 .

中国专利 :CN120857562A ,2025-10-28

[7]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113808946A ,2021-12-17

[8]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 .

中国专利 :CN113808944A ,2021-12-17

[9]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113808943B ,2024-11-26

[10]

超结功率器件及其制备方法 [P].

季明华 ;

刘聪慧 ;

王欢 ;

杨龙康 ;

张汝京 .

中国专利 :CN113808945B ,2024-11-26

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