一种高可靠性的Trench MOS器件的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511086913.4

申请日：

2025-08-05

公开(公告)号：

CN120916458A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

刘道国刘鹏飞

申请人：

深圳市尚鼎芯科技股份有限公司

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽街道西丽社区留新四街万科云城三期C区八栋A座3301房3302房

IPC主分类号：

H10D30/01

IPC分类号：

H10D62/00 H10D64/01 H10D64/27 H10D62/10

代理机构：

北京卓岚智财知识产权代理有限公司 11624

代理人：

郭智

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-07	公开	公开
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/01申请日:20250805

共 50 条

[1]

成长高可靠性IGBT金属连接的方法 [P].

李琳松 .

中国专利 :CN104377130B ,2015-02-25

[2]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07

[3]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN109103257A ,2018-12-28

[4]

一种提升器件可靠性的方法 [P].

王诗昊 ;

曾招钦 ;

鲍宇 ;

郭晓清 .

中国专利 :CN119132936A ,2024-12-13

[5]

一种通过多晶硅条提高可靠性的MOS器件及其制造方法 [P].

胡兴正 ;

钱康 ;

何军 ;

薛璐 ;

刘海波 .

中国专利 :CN114141859A ,2022-03-04

[6]

一种Trench MOS器件及制备方法 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN111755526A ,2020-10-09

[7]

一种高可靠性MLCC的制备方法 [P].

陈涛 ;

刘洲 ;

马飞文 ;

王波 ;

张倩雯 ;

梁燕文 ;

曹秀华 ;

沓世我 ;

付振晓 .

中国专利 :CN115565783A ,2023-01-03

[8]

高可靠性的SiC MOSFET器件的制备方法及其结构 [P].

邵锦文 ;

贾仁需 ;

侯同晓 ;

元磊 ;

汤晓燕 .

中国专利 :CN108321080A ,2018-07-24

[9]

改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法 [P].

刘秀勇 ;

李志国 ;

程光 .

中国专利 :CN115295621B ,2025-12-16

[10]

一种Trench MOS器件 [P].

唐呈前 ;

李生龙 ;

袁力鹏 ;

常虹 .

中国专利 :CN212587513U ,2021-02-23

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