改善沟槽栅型MOS器件可靠性的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210987106.X

申请日：

2022-08-17

公开(公告)号：

CN115295621B

公开(公告)日：

2025-12-16

发明(设计)人：

刘秀勇李志国程光

申请人：

华虹半导体（无锡）有限公司

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

H10D64/27

IPC分类号：

H10D64/00 H10D30/60 H10D30/01

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

戴广志

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-16	授权	授权

共 50 条

[1]

高可靠性沟槽型半导体MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208045511U ,2018-11-02

[2]

沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 .

中国专利 :CN104576346B ,2015-04-29

[3]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN208835068U ,2019-05-07

[4]

高可靠性深沟槽功率MOS器件 [P].

黄彦智 ;

陆佳顺 ;

杨洁雯 .

中国专利 :CN109103257A ,2018-12-28

[5]

改善沟槽型双层栅MOS器件的击穿电压的方法 [P].

金勤海 ;

周颖 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130055A ,2011-07-20

[6]

改善沟槽功率MOS器件栅电极金属层粘附性的结构 [P].

朱袁正 ;

秦旭光 .

中国专利 :CN201181707Y ,2009-01-14

[7]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅的制备方法 [P].

郭晓波 ;

孟鸿林 .

中国专利 :CN103839791B ,2014-06-04

[8]

沟槽型双层栅MOS器件的制备方法 [P].

金勤海 ;

李卫刚 ;

缪进征 .

中国专利 :CN102130000A ,2011-07-20

[9]

屏蔽栅沟槽型MOS器件的制造方法 [P].

李艳旭 .

中国专利 :CN113327860B ,2021-08-31

[10]

应用于沟槽型MOS器件的沟槽栅及其制备方法 [P].

郭晓波 ;

胡荣星 .

中国专利 :CN104282543A ,2015-01-14

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