一种带ESD保护结构的trench分离栅DMOS器件制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010313159.4

申请日：

2020-04-20

公开(公告)号：

CN111490094B

公开(公告)日：

2020-08-04

发明(设计)人：

廖远宝洪根深吴建伟徐政吴锦波徐海铭

申请人：

申请人地址：

214000 江苏省无锡市滨湖区惠河路5号

IPC主分类号：

H01L2940

IPC分类号：

H01L2978 H01L2702 H01L21336

代理机构：

无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340

代理人：

杨立秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/40 申请日:20200420
2022-08-02	授权	授权
2020-08-04	公开	公开

共 50 条

[1]

一种沟槽栅DMOS的制作方法 [P].

李泽宏 ;

钟子期 ;

宋炳炎 ;

谢驰 .

中国专利 :CN107221502A ,2017-09-29

[2]

一种DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件 [P].

姜春亮 ;

蔡远飞 ;

何昌 ;

李理 .

中国专利 :CN106298530B ,2017-01-04

[3]

一种DMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 ;

赵文魁 .

中国专利 :CN103050405B ,2013-04-17

[4]

一种DMOS器件及其制作方法 [P].

马万里 .

中国专利 :CN104241356B ,2014-12-24

[5]

一种降低trench DMOS栅电容的制造方法 [P].

廖远宝 ;

徐政 ;

吴锦波 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN112071750B ,2020-12-11

[6]

一种VDMOS器件ESD保护结构及其制作方法 [P].

鞠柯 ;

徐励远 ;

孟军 ;

许柏松 .

中国专利 :CN118280985A ,2024-07-02

[7]

ESD器件的制作方法 [P].

吴亚贞 ;

克里丝 ;

楼颖颖 .

中国专利 :CN102169832A ,2011-08-31

[8]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

顾昀浦 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

宋跃桦 ;

吴平丽 ;

樊君 ;

张丽娜 .

中国专利 :CN111276394B ,2020-06-12

[9]

一种分离栅MOSFET的制作方法 [P].

张楠 ;

黄健 ;

孙闫涛 ;

顾昀浦 ;

刘静 .

中国专利 :CN113725078A ,2021-11-30

[10]

一种低压高密度trench DMOS器件制造方法 [P].

廖远宝 ;

洪根深 ;

吴建伟 ;

吴锦波 ;

徐政 ;

徐海铭 .

中国专利 :CN111508830B ,2020-08-07

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