一种DMOS器件及其制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201310239121.7
申请日
2013-06-17
公开(公告)号
CN104241356B
公开(公告)日
2014-12-24
发明(设计)人
马万里
申请人
申请人地址
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336
代理机构
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291
代理人
黄志华
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种DMOS器件及其制作方法 [P]. 
马万里 ;
赵文魁 .
中国专利 :CN103050405B ,2013-04-17
[2]
一种DMOS器件有源区的制作方法及DMOS器件 [P]. 
姜春亮 ;
蔡远飞 ;
何昌 ;
李理 .
中国专利 :CN106298530B ,2017-01-04
[3]
DMOS器件制作方法与DMOS器件 [P]. 
姜春亮 ;
蔡远飞 .
中国专利 :CN106549057A ,2017-03-29
[4]
一种高压DMOS器件及其制作方法 [P]. 
李冰 .
中国专利 :CN110690271A ,2020-01-14
[5]
一种沟槽DMOS器件及其制作方法 [P]. 
卞铮 .
中国专利 :CN103928513B ,2014-07-16
[6]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN105633149A ,2016-06-01
[7]
一种半导体器件及其制作方法 [P]. 
马万里 .
中国专利 :CN105633150A ,2016-06-01
[8]
全自对准高压N型DMOS器件及制作方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN101752251A ,2010-06-23
[9]
NROM器件及其制作方法 [P]. 
鲍震雷 ;
宋立军 .
中国专利 :CN101587864A ,2009-11-25
[10]
一种高压MOSFET器件及其制作方法 [P]. 
潘伯津 ;
朱克宝 ;
李仁雄 ;
彭路露 ;
宁宁 .
中国专利 :CN115763258B ,2025-09-05